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罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%_蜘蛛资讯网

日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非

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发布时间：05:12:06